פארוואס איז SiGe געניצט?

סיגע פּודער, אויך באקאנט אלץסיליציום גערמאַניום פּודער, איז אַ מאַטעריאַל וואָס האט באקומען גרויס ופמערקזאַמקייט אין די פעלד פון סעמיקאַנדאַקטער טעכנאָלאָגיע.דער אַרטיקל יימז צו אילוסטרירן וואָסSiGeאיז וויידלי געניצט אין אַ פאַרשיידנקייַט פון אַפּלאַקיישאַנז און ויספאָרשן זייַן יינציק פּראָפּערטיעס און אַדוואַנטידזשיז.

סיליציום גערמאַניום פּודעראיז אַ קאַמפּאַזאַט מאַטעריאַל וואָס איז קאַמפּאָוזד פון סיליציום און גערמאַניום אַטאָמס.די קאָמבינאַציע פון ​​די צוויי עלעמענטן קריייץ אַ מאַטעריאַל מיט מערקווירדיק פּראָפּערטיעס ניט געפֿונען אין ריין סיליציום אָדער גערמאַניום.איינער פון די הויפּט סיבות פֿאַר נוצןSiGeאיז זייַן ויסגעצייכנט קאַמפּאַטאַבילאַטי מיט סיליציום-באזירט טעקנאַלאַדזשיז.

ינטאַגרייטינגSiGeאין סיליציום-באזירט דעוויסעס אָפפערס עטלעכע אַדוואַנטידזשיז.איינער פון די הויפּט אַדוואַנטידזשיז איז די פיייקייט צו טוישן די עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס פון סיליציום, דערמיט ימפּרוווינג די פאָרשטעלונג פון עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ.קאַמפּערד מיט סיליציום,SiGeהאט העכער עלעקטראָן און לאָך מאָביליטי, אַלאַוינג פאַסטער עלעקטראָן אַריבערפירן און געוואקסן מיטל גיכקייַט.דער פאַרמאָג איז דער הויפּט וווילטויק פֿאַר הויך-אָפטקייַט אַפּלאַקיישאַנז, אַזאַ ווי וויירליס קאָמוניקאַציע סיסטעמען און הויך-גיכקייַט ינאַגרייטיד סערקאַץ.

דערצו,SiGeהאט אַ נידעריקער באַנד ריס ווי סיליציום, וואָס אַלאַוז עס צו אַרייַנציען און אַרויסלאָזן ליכט מער יפישאַנטלי.דעם פאַרמאָג מאכט עס אַ ווערטפול מאַטעריאַל פֿאַר אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס אַזאַ ווי פאָטאָדעטעקטאָרס און ליכט-ימיטינג דייאָודז (לעדס).SiGeאויך האט ויסגעצייכנט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, אַלאַוינג עס צו דיסאַפּייט היץ יפישאַנטלי, מאכן עס ידעאַל פֿאַר דעוויסעס וואָס דאַרפן עפעקטיוו טערמאַל פאַרוואַלטונג.

אן אנדער סיבה פֿאַרSiGeס וויידספּרעד נוצן איז זייַן קאַמפּאַטאַבילאַטי מיט יגזיסטינג סיליציום מאַנופאַקטורינג פּראַסעסאַז.סיגע פּודערקענען זיין לייכט געמישט מיט סיליציום און דאַן דאַפּאַזיטיד אויף אַ סיליציום סאַבסטרייט ניצן נאָרמאַל סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג טעקניקס אַזאַ ווי כעמישער פארע דעפּאַזישאַן (CVD) אָדער מאָלעקולאַר שטראַל עפּיטאַקסי (MBE).די סימלאַס ינאַגריישאַן מאכט עס קאָס-עפעקטיוו און ינשורז אַ גלאַט יבערגאַנג פֿאַר מאַניאַפאַקטשערערז וואָס האָבן שוין געגרינדעט סיליציום-באזירט מאַנופאַקטורינג פאַסילאַטיז.

סיגע פּודערקענען אויך מאַכן סטריינד סיליציום.שפּאַנונג איז באשאפן אין די סיליציום שיכטע דורך דאַפּאַזיטינג אַ דין שיכטע פוןSiGeאויף שפּיץ פון די סיליציום סאַבסטרייט און דעמאָלט סאַלעקטיוולי רימוווינג די גערמאַניום אַטאָמס.דער שפּאַנונג ענדערונגען די סיליציום ס באַנד סטרוקטור, ווייַטער ענכאַנסינג זייַן עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס.סטריינד סיליציום איז געווארן אַ שליסל קאָמפּאָנענט אין הויך-פאָרשטעלונג טראַנזיסטערז, וואָס אַלאַוז פאַסטער סוויטשינג ספּידז און נידעריקער מאַכט קאַנסאַמשאַן.

אין צוגאב,סיגע פּודערהאט אַ ברייט קייט פון ניצט אין די פעלד פון טערמאָועלעקטריק דעוויסעס.טערמאָועלעקטריק דעוויסעס גער היץ אין עלעקטרע און וויצע ווערסאַ, מאכן זיי וויטאַל אין אַפּלאַקיישאַנז אַזאַ ווי מאַכט דור און קאָאָלינג סיסטעמען.SiGeהאט הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און טונאַבאַל עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס, פּראַוויידינג אַ ידעאַל מאַטעריאַל פֿאַר דער אַנטוויקלונג פון עפעקטיוו טהערמאָעלעקטריק דעוויסעס.

אין מסקנא,סיגע פּודער or סיליציום גערמאַניום פּודערהאט פאַרשידן אַדוואַנטידזשיז און אַפּלאַקיישאַנז אין די פעלד פון סעמיקאַנדאַקטער טעכנאָלאָגיע.זיין קאַמפּאַטאַבילאַטי מיט יגזיסטינג סיליציום פּראַסעסאַז, ויסגעצייכנט עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס און טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי מאַכן עס אַ פאָלקס מאַטעריאַל.צי ימפּרוווינג די פאָרשטעלונג פון ינאַגרייטיד סערקאַץ, דעוועלאָפּינג אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס אָדער שאַפֿן עפעקטיוו טערמאָועלעקטריק דעוויסעס,SiGeהאלט צו באַווייַזן זייַן ווערט ווי אַ מולטיפונקטיאָנאַל מאַטעריאַל.ווי פאָרשונג און טעכנאָלאָגיע פאָרזעצן צו שטייַגן, מיר דערוואַרטןסיגע פּאַודערזצו שפּילן אַן אפילו מער וויכטיק ראָלע אין פאָרעם די צוקונפֿט פון סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס.